8月29日，晶盛機電(300316.SZ)在電話會議上表示，公司已成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線。公司大尺寸藍(lán)寶石晶體生長工藝和技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。第五代新型單晶爐即將于2023年重磅上市，為行業(yè)注入全新動力。公司產(chǎn)品在半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域均取得了較高市場份額，目前整體供不應(yīng)求，公司也在加速相應(yīng)的產(chǎn)能擴(kuò)建。

晶盛機電在電話會議上介紹了上半年公司的經(jīng)營情況，報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入43.7億元，同比增長91.02%，凈利潤12億，超過100%，其中設(shè)備及服務(wù)營業(yè)收入35.7億元，同比增長83.78%;材料業(yè)務(wù)營業(yè)收入5.5億元，同比增長144.00%。截至2022 年6月30日，公司未完成設(shè)備合同總計230.40億元，其中未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同22億元。

在半導(dǎo)體8-12英寸大硅片設(shè)備領(lǐng)域，公司產(chǎn)品在晶體生長、切片、拋光、外延等環(huán)節(jié)已實現(xiàn)8英寸設(shè)備的全覆蓋，12英寸長晶、切片、研磨、拋光等設(shè)備也已實現(xiàn)批量銷售，產(chǎn)品質(zhì)量已達(dá)到國際先進(jìn)水平。

藍(lán)寶石材料方面，公司大尺寸藍(lán)寶石晶體生長工藝和技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平，目前已成功生長出全球領(lǐng)先的700Kg級藍(lán)寶石晶體，并實現(xiàn)300Kg級及以上藍(lán)寶石晶體的規(guī)模化量產(chǎn)，是掌握核心技術(shù)及規(guī)模優(yōu)勢的龍頭企業(yè)。

碳化硅材料方面，公司已成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，實驗線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證，公司將持續(xù)加強技術(shù)創(chuàng)新和工藝積累，實現(xiàn)大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術(shù)的自主可控，進(jìn)一步提升公司在第三代半導(dǎo)體材料端的競爭力。

在輔材耗材領(lǐng)域，公司高品質(zhì)大尺寸石英坩堝在規(guī)模和技術(shù)水平上均達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平，在半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域取得了較高的市場份額。同時，公司在金剛線領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了差異化的技術(shù)突破。

關(guān)于第五代單晶爐的情況，公司表示，公司開發(fā)的第五代新型單晶爐除了配置有更強大的硬件引擎之外，其最大的亮點在于改變了傳統(tǒng)的封閉控制系統(tǒng)模式，配置了基于開放架構(gòu)的用戶可編程的軟件定義工藝平臺，提供可自行構(gòu)建工藝時序、控制邏輯、核心算法的自主創(chuàng)新條件。將軟件開發(fā)權(quán)交給客戶，助力客戶在技術(shù)上持續(xù)創(chuàng)新，不斷提升競爭力。第五代單晶爐為光伏產(chǎn)業(yè)開辟了自研設(shè)備和通用設(shè)備外的平臺設(shè)備+專有技術(shù)的新局面，為客戶差異化競爭提供新的解決方案。第五代新型單晶爐即將于 2023 年重磅上市，為行業(yè)注入全新動力。

石英坩堝方面，公司于 2017 年開始布局石英坩堝，并在浙江、內(nèi)蒙和寧夏建立生產(chǎn)基地，實現(xiàn)了規(guī)模化生產(chǎn)，可提供半導(dǎo)體和光伏用的高品質(zhì)大尺寸石英坩堝。公司產(chǎn)品在質(zhì)量和技術(shù)水平領(lǐng)先，尤其是在氣泡密度、產(chǎn)品一致性等參數(shù)指標(biāo)控制上取得了下游客戶和行業(yè)的認(rèn)可。公司產(chǎn)品在半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域均取得了較高市場份額，目前整體供不應(yīng)求，公司也在加速相應(yīng)的產(chǎn)能擴(kuò)建。

石英砂供供應(yīng)方面，公司使用的高純石英砂以海外進(jìn)口為主，同時也采購部分高質(zhì)量國產(chǎn)石英砂。公司根據(jù)行業(yè)發(fā)展趨勢，基于供需關(guān)系提前做了相關(guān)戰(zhàn)略分析和市場預(yù)測，調(diào)整供應(yīng)鏈戰(zhàn)略，與供應(yīng)商協(xié)同進(jìn)行戰(zhàn)略儲備，強化供應(yīng)鏈保障。

據(jù)公司介紹，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越物理特征，在新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通、航天航空、國防軍工等領(lǐng)域的應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。碳化硅單晶材料主要分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣襯底兩種，其中，在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，可進(jìn)一步制成功率器件，并應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型襯底上生長 GaN 外延層，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于 5G 通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。

目前，新能源汽車、光伏和充電基礎(chǔ)設(shè)施是碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域，新能源汽車和光伏發(fā)電市場的蓬勃發(fā)展帶動了碳化硅市場需求的快速增長，根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年全球碳化硅器件市場規(guī)模約 10 億美元，預(yù)計到 2027 年，碳化硅器件的市場規(guī)模將超過 70 億美元，市場成長空間巨大。

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